接待来到jxf吉祥坊光电科技有限公司！
目前 ，凭据所使用半导体质料禁带宽度的差别 ，半导体紫外传感器件可分为两大类：一类是基于通例半导体质料（如：Si、GaAs、InP等）的光电二极管 ，另一类则是基于新型宽禁带半导体（如：GaN、SiC等）的光电二极管；谕ɡ氲继逯柿系墓獾缍极管技术已经较为成熟 ，但由于这些半导体质料的禁带宽度比较小 ，所对应探测器的响应截止边一般都位于可见光波段。因此 ，要想使这些光电二极管有选择性地事情在紫外波段 ，则需要在这些探测器上加装特殊设计的、价格很贵的滤波片（filter）。由于太阳光抵达地面的辐射中 ，可见光是普通紫外光（365 nm）强度的104倍以上 ，上述提到的滤波片需要具有很高的抑制比 ，制作难度较高。别的 ，这些滤波片在过滤掉高强度可见光的同时 ，还会滤掉相当部分需要探测的紫外光 ，导致加装滤波片的紫外探测系统量子效率大为降低。相比之下 ，jxf吉祥坊光电所开发的基于新型宽禁带半导体的光电二极管技术恰恰可以有效解决以上问题。
